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华为芯片恐遭断供背后,中国芯的心酸往事与前途去路

发布时间:2020-09-17 20:56:19 所属栏目:经营推广 来源:网络整理
导读:如无意外,此刻根据媒体报道,在9月15日美国对华为芯片实施全面“断供”的节点即将到来之际,华为正抓紧时间从台湾地区运回所有麒麟芯片。
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举国体制下,中国的半导体产业能够紧追美国,得益于一批回到新中国的半导体人才。

80年代开始,中国与国际先进水平的差距被拉大,这其中既有内因,也与全球芯片产业开始裂变分工形成各类壁垒密不可分。

芯片半导体在全球化浪潮下逐渐成为一个分工精细的全球生意,越是互联网后浪下出生的企业,越具有开放性和对未来的想象空间。

悲壮。

如无意外,此刻根据媒体报道,在9月15日美国对华为芯片实施全面“断供”的节点即将到来之际,华为正抓紧时间从台湾地区运回所有麒麟芯片。

这或许是最后一批供给华为的麒麟芯片,此后,应用于华为多种终端的芯片表现如何,就要完全靠自己了。因此,悲壮,是市场为华为定下的情绪注解。

面对危机,华为的B计划正在加速落地。 就在断供时点即将到来的前几天,华为开发者大会在东莞松山湖开幕。时隔一年多,华为自研系统鸿蒙OS升级至2.0,同时还带来了HMS Core 5.0和EMUI 11。

禁令对华为的影响毫无疑问是非常巨大的,今年8月,华为消费者业务余承东曾对外表示,若没有美国相关禁令的限制,华为手机的出货量在去年就能超过三星。

根据市场调研机构IDC的报告显示,在2020年第二季度全球智能手机出货量同比下降16%的情况下,华为以5580万部的出货量,超越三星(5420万部),冲上全球智能手机出货量第一的位置,市场份额达到了20.0%。

但随着新一轮禁令的到来,从9月15日开始,美国将限制华为使用美国技术和软件在国外(美国以外)设计和制造半导体,这些公司在再出口,从国外(美国以外)出口或转移到实体列表中的华为或其任何关联公司时都需要许可证。

简单来说,就是任何使用美国技术的半导体公司都不能再卖产品和技术给华为了,否则将受到美国政府的相关制裁。在此禁令颁布后,台积电、三星、英特尔、联发科、高通、中芯、海力士等全球主要芯片生产企业,都陆续表示9月15日之后将无法继续为华为提供服务。

华为芯片恐遭断供背后,中国芯的心酸往事与前途去路

华为虽在禁令生效期前已开始大量囤积芯片(据华为2020年一季度末财报,华为的存货已经达到1882亿元),但亦做好了最坏的打算,余承东表示:“由于第二轮制裁,芯片没办法生产,很困难,目前都在缺货阶段。这可能是我们非常大的损失。”

虽然部分媒体表示,华为现存芯片或可满足2021年全年需求,撑至美大选后的禁令政策变化,可一旦仍无芯可用,华为将遭遇巨大影响。

华为的遭遇是中国芯片产业处境尴尬的现实折射。

在硅基的信息科技时代,芯片是类似工业革命煤、石油一样重要的存在。因此,由华为的事件延展,一纸禁令会造成如此大影响的背后,中国芯片行业的发展现状到底如何,是更为值得探究的话题。

中国“芯”究竟经历了怎样的发展历程?如今走到了哪一步?明天又该往何处去?解答这些问题,需要回到故事的起点。

起步:举国体制下的追赶

2000年,被称为硅谷之父、集成电路之父,以及仙童半导体公司和英特尔创始人罗伯特·诺伊斯已经去世,按照诺贝尔奖只授予在世者的规定,77岁的杰克·基尔比终获得这一年的诺贝尔物理学奖,此时,已距离集成电路发明已过去42年。

1958年,当一个双极性晶体管,三个电阻和一个电容器成功组成第一个集成电路雏形时,谁也不知道它将给人类历史带来什么。

时间来到1960年代,单晶技术由贝尔实验室开发出来。至此,半导体工业获得了可以批次生产的能力,终于站稳脚步,开始发展。1964年,大名鼎鼎的仙童半导体发明了平面工艺的方法,解决了电路中不同元件间的导线连接问题,蚀刻、微影等技术在当时便已出现。此时的硅谷开始初具雏形,英特尔、AMD等公司也在随后几年成立。

60年代发展出来的平面工艺,可以把越来越多的元件放在一块硅晶片上,从1960年的不到10个元件,到80年代的十万个元件,再到90年代的千万个元件。英特尔创始人戈登·摩尔在此时提出了他的行业设想:集成电路上可以容纳的晶体管数目在大约每经过24个月便会增加一倍。换言之,处理器的性能每隔两年翻一倍。

1968年,美国无线电公司成功研发了第一个互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路。CMOS器件的发明有效地实践了摩尔定律。1971年,英特尔推出1KB动态随机存储器DRAM,和全球第一个微处理器4004,标志着大规模集成电路的出现。

在半导体产业刚刚起步的此时,中国与世界顶尖技术差距并不大。

1954年,当美国研制出硅合金晶体管,中国北京电子管厂也于四年后(1958年)研制出硅合金晶体管。1959年美国发明平面光刻技术,研制成功平面型扩散晶体管,中国科学院半导体所也在1963年研制成平面管,同时有多家单位也在研制平面管。

1975年,北京大学物理系半导体研究小组,由王阳元(中科院院士、中芯国际创始人)等人,设计出我国第一批三种类型的(硅栅NMOS、硅栅PMOS、铝栅NMOS)1KbDRAM动态随机存储器,它比美国英特尔公司研制的C1103DRAM内存芯片要晚五年,但是比韩国、台湾地区要早四五年。

在半导体晶体管和集成电路起步阶段,中国距美国只有五年左右的差距,起步并不算太慢。当时国内半导体产业主要为计算机和军工配套服务,以开发逻辑电路为主要产品,初步建立集成电路工业基础及相关设备、仪器、材料的配套条件,因此施行的是举国体制。

1956年,我国提出“向科学进军”的口号,根据国外发展电子元件的情况,提出中国也要研究半导体科学,并将其列为国家四大紧急措施之一。举国体制下,中国的半导体产业能够紧追美国,得益于一批回到新中国的半导体人才。

那段时间,中国科学院应用物理研究所请留学归来的半导体专家黄昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体相关理论,在北京大学开办了半导体物理专业培养出中国第一批半导体专业人才,包括后来的中芯国际董事长王阳元、华晶集团总工程师许居衍、电子工业部总工程师俞忠钰等。

举国模式或许可以保证科技上不会被甩下,但如果行业无法通过商业化、产业化来盈利,则很难保证长久健康的发展。

(编辑:拼字网 - 核心网)

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